热氧化物在硅片制造的四种用途

1、金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。2、注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。3、势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。4、掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。